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Mosfet a supergiunzione 700v

Padroneggiamo sia i MOSFET Deep trench che quelli a super giunzione Multi-EPI
tecnologia e dispone di un portafoglio di prodotti molto completo. Super
Le specifiche del prodotto MOSFET a giunzione coprono 500 V-1200V, 2 A-99A.
Siamo il primo MOSFET a super-giunzione prodotto in serie a livello nazionale
con una tensione di tenuta superiore a 1000 V e possiede 600 V/16,5 mΩ
prodotti come Rdson ultra-basso e introdotto innovativo built-in
pacchetto isolante, SOT-223-2L, PDFN8X8 e altri prodotti confezionati.

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Descrizione

MOSFET Super Junction 700V (SJ MOSFET 700V) ‌ è una tecnologia speciale di

Transistor a effetto di campo a semiconduttore a ossido di metallo. È progettato per risolvere il

problema che la resistenza dei MOSFET tradizionali aumenta quando viene nominale

la tensione viene aumentata. Per i MOSFET SJ da 700 V, questa tecnologia è particolarmente adatta

per le applicazioni

che richiedono alta tensione e bassa perdita. Ad esempio, nelle applicazioni con topologia flyback,

la famiglia di MOSFET SJ da 700 V offre guadagni di efficienza fino al 4% e di temperatura del dispositivo

riduzioni fino a 16 gradi . Rispetto alla precedente tecnologia 650V, l'efficienza

è aumentata del 2,4% e la temperatura del dispositivo è ridotta di 12 gradi. Mirato a

mercati a basso consumo come caricabatterie per telefoni cellulari e adattatori per notebook, LED

illuminazione, dispositivi di intrattenimento domestico e alimentatori ausiliari, questa tecnologia

offre un vantaggio competitivo in termini di costi con basse perdite di commutazione, eccellente termica

prestazioni e capacità di commutazione ad alta velocità.
Inoltre, l'ottimizzazione dei MOSFET SJ prevede anche progressi nel processo

tecnologia, come la tecnologia di incisione della scanalatura profonda e la realizzazione della carica

abbinamento, che migliora notevolmente le prestazioni e l'affidabilità dei MOSFET SJ.

Ad esempio, la tecnologia di overgiunzione di seconda generazione di Versine (SJ II) è migliorata

le prestazioni del dispositivo (Ron*A) di circa il 30% rispetto alla prima generazione

tecnologia, mostrando una forte competitività ‌.

WMF05N70MM	SJ-MOS EM a canale N	SOT-223-2L	700	1.55	5.4	5	30	3.5
WMP05N70MM	SJ-MOS EM a canale N	A-251	700	1.55	5.4	42	30	3.5
WMO05N70MM	SJ-MOS EM a canale N	A-252	700	1.55	5.4	42	30	3.5
WML05N70MM	SJ-MOS EM a canale N	A-220F	700	1.55	5.4	23	30	3.5
WMK05N70MM	SJ-MOS EM a canale N	A-220	700	1.55	5.4	42	30	3.5
WMN05N70MM	SJ-MOS EM a canale N	A-262	700	1.55	5.4	42	30	3.5
WMK08N70EM	SJ-MOS EM a canale N	A-220	700	0.93	5.5	46	30	3
WML08N70EM	SJ-MOS EM a canale N	A-220F	700	0.93	5.5	26	30	3
WMM08N70EM	SJ-MOS EM a canale N	A-263	700	0.93	5.5	46	30	3
WMN08N70EM	SJ-MOS EM a canale N	A-262	700	0.93	5.5	46	30	3
WMO08N70EM	SJ-MOS EM a canale N	A-252	700	0.93	5.5	46	30	3
WMP08N70EM	SJ-MOS EM a canale N	A-251	700	0.93	5.5	46	30	3
WMK10N70EM	SJ-MOS EM a canale N	A-220	700	0.6	8	63	30	3
WML10N70EM	SJ-MOS EM a canale N	A-220F	700	0.6	8	28	30	3
WMM10N70EM	SJ-MOS EM a canale N	A-263	700	0.6	8	63	30	3
WMN10N70EM	SJ-MOS EM a canale N	A-262	700	0.6	8	63	30	3
WMO10N70EM	SJ-MOS EM a canale N	A-252	700	0.6	8	63	30	3
WMP10N70EM	SJ-MOS EM a canale N	A-251	700	0.6	8	63	30	3
WMU10N70EM	SJ-MOS EM a canale N	A-220F NL	700	0.6	8	28	30	3
WMK13N70EM	SJ-MOS EM a canale N	A-220	700	0.39	11	85	30	3
WML13N70EM	SJ-MOS EM a canale N	A-220F	700	0.39	11	31	30	3
WMM13N70EM	SJ-MOS EM a canale N	A-263	700	0.39	11	85	30	3
WMN13N70EM	SJ-MOS EM a canale N	A-262	700	0.39	11	85	30	3
WMO13N70EM	SJ-MOS EM a canale N	A-252	700	0.39	11	85	30	3
WMP13N70EM	SJ-MOS EM a canale N	A-251	700	0.39	11	85	30	3
WMU13N70EM	SJ-MOS EM a canale N	A-220F NL	700	0.39	11	31	30	3
WMK18N70EM	SJ-MOS EM a canale N	A-220	700	0.28	16	125	30	3
WML18N70EM	SJ-MOS EM a canale N	A-220F	700	0.28	16	34	30	3
WMM18N70EM	SJ-MOS EM a canale N	A-263	700	0.28	16	125	30	3
WMN18N70EM	SJ-MOS EM a canale N	A-262	700	0.28	16	125	30	3
WMO18N70EM	SJ-MOS EM a canale N	A-252	700	0.28	16	125	30	3
WMP18N70EM	SJ-MOS EM a canale N	A-251	700	0.28	16	125	30	3
WMK25N70EM	SJ-MOS EM a canale N	A-220	700	0.19	22	147	30	3
WML25N70EM	SJ-MOS EM a canale N	A-220F	700	0.19	22	34	30	3
WMM25N70EM	SJ-MOS EM a canale N	A-263	700	0.19	22	147	30	3
WMN25N70EM	SJ-MOS EM a canale N	A-262	700	0.19	22	147	30	3
WMJ25N70EM	SJ-MOS EM a canale N	A-247	700	0.19	22	147	30	3
WMK30N70EM	SJ-MOS EM a canale N	A-220	700	0.16	27	210	30	3
WML30N70EM	SJ-MOS EM a canale N	A-220F	700	0.16	27	34	30	3
WMM30N70EM	SJ-MOS EM a canale N	A-263	700	0.16	27	210	30	3
WMN30N70EM	SJ-MOS EM a canale N	A-262	700	0.16	27	210	30	3
WMJ30N70EM	SJ-MOS EM a canale N	A-247	700	0.16	27	210	30	3
WMK07N70C4	SJ-MOS C4 a canale N	A-220	700	1.14	5	42	30	3
WML07N70C4	SJ-MOS C4 a canale N	A-220F	700	1.14	5	23	30	3
WMM07N70C4	SJ-MOS C4 a canale N	A-263	700	1.14	5	42	30	3
WMN07N70C4	SJ-MOS C4 a canale N	A-262	700	1.14	5	42	30	3
WMO07N70C4	SJ-MOS C4 a canale N	A-252	700	1.14	5	42	30	3
WMP07N70C4	SJ-MOS C4 a canale N	A-251	700	1.14	5	42	30	3
WMK08N70C4	SJ-MOS C4 a canale N	A-220	700	0.78	6	45	30	3
WML08N70C4	SJ-MOS C4 a canale N	A-220F	700	0.78	6	26	30	3
WMM08N70C4	SJ-MOS C4 a canale N	A-263	700	0.78	6	45	30	3
WMN08N70C4	SJ-MOS C4 a canale N	A-262	700	0.78	6	45	30	3
WMO08N70C4	SJ-MOS C4 a canale N	A-252	700	0.78	6	45	30	3
WMP08N70C4	SJ-MOS C4 a canale N	A-251	700	0.78	6	45	30	3
WMK10N70C4	SJ-MOS C4 a canale N	A-220	700	0.6	8	57	30	3
WML10N70C4	SJ-MOS C4 a canale N	A-220F	700	0.6	8	27	30	3
WMM10N70C4	SJ-MOS C4 a canale N	A-263	700	0.6	8	57	30	3
WMN10N70C4	SJ-MOS C4 a canale N	A-262	700	0.6	8	57	30	3
WMO10N70C4	SJ-MOS C4 a canale N	A-252	700	0.6	8	57	30	3
WMP10N70C4	SJ-MOS C4 a canale N	A-251	700	0.6	8	57	30	3
WMK14N70C4	SJ-MOS C4 a canale N	A-220	700	0.38	11	85	30	3
WML14N70C4	SJ-MOS C4 a canale N	A-220F	700	0.38	11	31	30	3
WMM14N70C4	SJ-MOS C4 a canale N	A-263	700	0.38	11	85	30	3
WMN14N70C4	SJ-MOS C4 a canale N	A-262	700	0.38	11	85	30	3
WMO14N70C4	SJ-MOS C4 a canale N	A-252	700	0.38	11	85	30	3
WMP14N70C4	SJ-MOS C4 a canale N	A-251	700	0.38	11	85	30	3
WMK15N70C4	SJ-MOS C4 a canale N	A-220	700	0.32	13	86	30	3
WML15N70C4	SJ-MOS C4 a canale N	A-220F	700	0.32	13	31	30	3
WMM15N70C4	SJ-MOS C4 a canale N	A-263	700	0.32	13	86	30	3
WMN15N70C4	SJ-MOS C4 a canale N	A-262	700	0.32	13	86	30	3
WMO15N70C4	SJ-MOS C4 a canale N	A-252	700	0.32	13	86	30	3
WMP15N70C4	SJ-MOS C4 a canale N	A-251	700	0.32	13	86	30	3
WML15N70C2	SJ-MOS C2 a canale N	A-220F	700	0.395	12	31	30	3.5
WMO15N70C2	SJ-MOS C2 a canale N	A-252	700	0.395	12	86	30	3.5
WMO11N70SR	SJ-MOS SR a canale N	A-252	700	0.62	9	63	20	3.5
WML11N70SR	SJ-MOS SR a canale N	A-220F	700	0.62	9	28	20	3.5
WMK11N70SR	SJ-MOS SR a canale N	A-220	700	0.62	9	63	20	3.5
WMM11N70SR	SJ-MOS SR a canale N	A-263	700	0.62	9	63	20	3.5
WMN11N70SR	SJ-MOS SR a canale N	A-262	700	0.62	9	63	20	3.5
WMP11N70SR	SJ-MOS SR a canale N	A-251	700	0.62	9	63	20	3.5
WMK15N70C2	SJ-MOS C2 a canale N	A-220	700	0.395	12	86	30	3.5
WMM15N70C2	SJ-MOS C2 a canale N	A-263	700	0.395	12	86	30	3.5
WMN15N70C2	SJ-MOS C2 a canale N	A-262	700	0.395	12	86	30	3.5
WMP15N70C2	SJ-MOS C2 a canale N	A-251	700	0.395	12	86	30	3.5
WMO16N70SR	SJ-MOS SR a canale N	A-252	700	0.36	14	86	20	3.5
WML16N70SR	SJ-MOS SR a canale N	A-220F	700	0.36	14	31	20	3.5
WMK16N70SR	SJ-MOS SR a canale N	A-220	700	0.36	14	86	20	3.5
WMM16N70SR	SJ-MOS SR a canale N	A-263	700	0.36	14	86	20	3.5
WMN16N70SR	SJ-MOS SR a canale N	A-262	700	0.36	14	86	20	3.5
WMP16N70SR	SJ-MOS SR a canale N	A-251	700	0.36	14	86	20	3.5
WML26N70SR	SJ-MOS SR a canale N	A-220F	700	0.205	20	34	20	3.5
WMK26N70SR	SJ-MOS SR a canale N	A-220	700	0.205	20	147	20	3.5
WMM26N70SR	SJ-MOS SR a canale N	A-263	700	0.205	20	147	20	3.5
WMN26N70SR	SJ-MOS SR a canale N	A-262	700	0.205	20	147	20	3.5
WMJ26N70SR	SJ-MOS SR a canale N	A-247	700	0.205	20	147	20	3.5
WMO08N70PC4	SJ-MOS C4 a canale N	A-252	700	0.93	5	38	20	3
WMO04N70PC4	SJ-MOS C4 a canale N	A-252	700	2.8	2.8	30	20	3
WMO07N70PC4	SJ-MOS C4 a canale N	A-252	700	1.38	4	35	20	3